趋肤效应分析
交变磁场在导电介质中引起涡流，涡流磁场抵抗源磁场，使导体内的场向表面集中，这就是趋肤效应；透入深度可按公式计算。
交变磁场会在导电介质中引起涡流。涡流产生的磁场抵抗源磁场，使导电介质中的合成场向表面附近集中并向内衰减。场和电流的这种行为称为趋肤效应。
导体中趋肤效应的场透入深度 d 可按下式计算：
d = √[ 2 / (2π·f·μ·g) ]
其中 f 为频率，μ 为磁导率，g 为电导率。
要用有限元软件精确计算趋肤效应，需要建立密集的有限元网格。不过，由于导体深处不会产生电流，可以使用非均匀网格来节省计算时间——在趋肤区域采用高节点密度，在该区域之外采用大得多的单元。为了生成这样的网格，有时添加人工顶点和边会很有帮助。
软件界面截图，图中文字为英文原版。
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